• Напряжение питания
  LM386N-1, LM386N-3, LM386M-1, LM386MM-1 4...12 В
    LM386N-4 5...18 В
• Входное сопротивление 50 кОм
• Выходная мощность 
  LM386N-1, LM386M-1, LM386MM-1, при Uпит = 6 В, R нагр. = 8 Ом, THD = 10% 0,325 Вт
  LM386N-3, при Uпит = 9 В, R нагр. = 8 Ом, THD = 10% 0,7 Вт
    LM386N-4, при Uпит = 16 В, R нагр. = 32 Ом, THD = 10% 1 Вт
• Частотный диапазон до 300 кГц

      Выводы 1 и 8 позволяют управлять коэффициентом усиления. Если между этими выводами ничего не включено (точнее, включен только встроенный в микросхему резистор сопротивлением 1,35 кОм), коэффициент усиления равен 20 (26 dB) (смотри рисунок 2). Если между этими выводами включить конденсатор, коэффициент усиления увеличивается до 200 (46 dB) (смотри рисунок 3). Последовательное включение резистора и конденсатора позволяет выбрать произвольный коэффициент усиления от 20 до 200 (смотри рисунок 4). Если планируется использовать микросхему LM386 с высоким коэффициентом усиления (между выводом 1 и 8 включен конденсатор или резистор и конденсатор), следует зашунтировать неиспользуемые выводы путем подключения их к земле через конденсатор емкостью 0,1 мкФ. Это позволит исключить снижение коэффициента усиления и возможную неустойчивую работу (самовозбуждение) усилителя. 
     Подключая внешние элементы к встроенным в микросхему резисторам в цепи обратной связи можно управлять усилением и частотной характеристикой усилителя. Например, если требуется сделать "басы" более громкими, необходимо включить последовательно резистор и конденсатор между выводами 1 и 5 (параллельно встроенному в микросхему резистору на 15 кОм). Для увеличения уровня "баса" на 6 dB сопротивление резистора следует выбрать 15 кОм. Если требуется меньшее усиление "басов" (а заодно и более стабильная работа усилителя), номинал резистора следует уменьшить до 10 кОм (смотри рисунок 5). Однако есть одно ограничение: если выводы 1 и 8 микросхемы LM386 шунтированы, сопротивление резистора следует выбрать менее 2 кОм.